Caractéristiques d'un transistor bipolaire
Polarisation, amplificateur émetteur commun
Ce TP a pour but de tracer les caractéristiques IB, VBE et IC, VCE d'un transistor bipolaire.
I- Caractéristique IB,VBE

Le schéma du montage utilisé est:
 

 
E = 0,8 V RB : Boîtes AOIP x10K, x100K et x1M ou équivalent II- Caractéristiques IC,VCE

Le schéma du montage utilisé est:
 

 
 
EB = 15V III- Polarisation du transistor

On utilise un transistor bipolaire "petits signaux" NPN de référence BC 547.

Le schéma est le suivant:
 

 
 
On notera IC0 et VCE0 les coordonnées du point de polarisation. IV- Etude en régime dynamique
 
Le montage est complété de la façon suivante:
 
 
 
Ru = 33kW

Le générateur peut être modélisé par un générateur parfait eg en série avec une résistance rg.

 
 
   
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TP Première Sti2
 
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